光学活性スクシンイミド誘導体の製造方法及びその中間体[ja]

被引:0
申请号
JP20100549410
申请日
2010-02-05
公开(公告)号
JPWO2010090031A1
公开(公告)日
2012-08-09
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C12P17/10
IPC分类号
C07C227/16 C07C229/24 C07C231/02 C07C237/04 C07C269/06 C07C271/22 C07D207/416 C12P7/62
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[2]
光学活性スクシンイミド誘導体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5844257B2 ,2016-01-13
[3]
光学活性スクシンイミド誘導体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2012014953A1 ,2013-09-12
[5]
光学活性アミン誘導体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP5615304B2 ,2014-10-29
[6]
光学活性アミン誘導体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2006030739A1 ,2008-05-15
[7]
光学活性スルホンアミド誘導体の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6339416B2 ,2018-06-06
[9]
光学活性クロマン誘導体の製造法および中間体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2003040382A1 ,2005-03-03
[10]