ナノギャップ長を有する電極構造の作製方法並びにそれにより得られるナノギャップ長を有する電極構造及びナノデバイス[ja]

被引:0
申请号
JP20130503464
申请日
2012-02-28
公开(公告)号
JPWO2012121067A1
公开(公告)日
2014-07-17
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
H01L21/288
IPC分类号
B82Y30/00 B82Y40/00 H01L29/06 H01L29/66 H01L29/786
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[5]
正極材料の製造方法及びそれにより製造される電池[ja] [P]. 
WEI CHAO-NAN ;
TSAI FENG-YEN ;
WANG YA-HUI ;
CHEN HAN-YU .
日本专利 :JP2024032648A ,2024-03-12