半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20200508040

申请日：

2018-08-30

公开(公告)号：

JP2020532854A

公开(公告)日：

2020-11-12

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L21/28 H01L21/8239 H01L27/10 H01L27/105 H01L29/12 H01L29/417 H01L29/78 H10N97/00 H10N99/00

代理机构：

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法律状态：

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半導体デバイス、トランジスタ、および金属酸化物半導体デバイスを接触させるための関連する方法[ja] [P].

日本专利 :JP7124059B2 ,2022-08-23

[2]

半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2018506174A ,2018-03-01

[3]

半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2022550015A ,2022-11-30

[4]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

NGUYEN SON VAN ;

YAMASHITA TENKO ;

CHENG KANGGUO ;

THOMAS JASPER HAIGH JR ;

PARK CHANRO ;

ERIC LINIGER ;

LI JUNTAO ;

SANJAY MEHTA .

日本专利 :JP2022140451A ,2022-09-26

[5]

半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017511596A ,2017-04-20

[6]

半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2019527933A ,2019-10-03

[7]

酸化物半導体膜および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6551414B2 ,2019-07-31

[8]

半導体デバイス、半導体装置および半導体デバイス形成方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021500741A ,2021-01-07

[9]

酸化物半導体膜および半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016121152A1 ,2017-09-28

[10]

トランジスタ及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7721837B1 ,2025-08-12

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