磁気メモリ素子および磁気メモリ[ja]

被引：0

申请号：

JP20130516265

申请日：

2012-04-19

公开(公告)号：

JPWO2012160937A1

公开(公告)日：

2014-07-31

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L27/105

IPC分类号：

H10N50/80 H01L21/8246 H10N50/10

代理机构：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

磁気メモリ素子、磁気メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010087389A1 ,2012-08-02

[2]

磁気メモリ素子[ja] [P].

日本专利 :JP7708488B1 ,2025-07-15

[3]

磁気メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011118461A1 ,2013-07-04

[4]

磁気メモリ[ja] [P].

KOIKE MASAHIRO ;

MICHAEL ARNAUD QUINSAT ;

UMEZU NOBUYUKI ;

NAKANISHI TSUTOMU ;

SETIADI AGUNG ;

YAKABE KEIYA ;

HIRAYAMA SHIGEYUKI ;

KADO MASATERU ;

OTERA YASUAKI ;

NAKAMURA SHIHO ;

HASHIMOTO SUSUMU ;

KONDO TAKESHI .

日本专利 :JP2024044005A ,2024-04-02

[5]

磁気メモリ[ja] [P].

MICHAEL ARNAUD QUINSAT ;

SHIMOMURA NAOHARU ;

UEDA YOSHIHIRO ;

KONDO TAKESHI ;

UMEZU NOBUYUKI ;

HASHIMOTO SUSUMU ;

IWATA JUN ;

NISHIMURA YUKIE ;

KADO MASATERU ;

NAKANISHI TSUTOMU ;

OTERA YASUAKI .

日本专利 :JP2025116614A ,2025-08-08

[6]

磁気メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2005122259A1 ,2008-04-10

[7]

磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその初期化方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011052475A1 ,2013-03-21

[8]

磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2011118395A1 ,2013-07-04

[9]

磁気記憶素子、及び磁気メモリ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009133744A1 ,2011-09-01

[10]

磁気メモリー[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007015474A1 ,2009-02-19

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