半導体デバイスの製造プロセス[ja]

被引：0

申请号：

JP20140528899

申请日：

2012-09-10

公开(公告)号：

JP2014530477A

公开(公告)日：

2014-11-17

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/208

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/336 H01L29/786

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共 50 条

[1]

半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

DAVID LYSACEK ;

JAN HYBL ;

DUSAN POSTULKA ;

JURAJ JARINA ;

VIT JANIREK ;

ALEXANDRA SENKOVA .

日本专利 :JP2024031904A ,2024-03-07

[2]

デバイス基板及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018519655A ,2018-07-19

[3]

水素ガスの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018135144A1 ,2019-11-07

[4]

半導体デバイスおよびその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018109970A1 ,2019-10-24

[5]

ナノ結晶の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018135145A1 ,2019-12-19

[6]

基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2004086475A1 ,2006-06-29

[7]

スプリットゲート構造の半導体デバイス及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023545549A ,2023-10-30

[8]

パワー半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2018511163A ,2018-04-19

[9]

メモリセル、半導体デバイスおよび製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2017535073A ,2017-11-24

[10]

誘電体デバイスの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2012057127A1 ,2014-05-12

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