シリコンを基板に連続蒸着する方法及び装置[ja]

被引:0
申请号
JP20200523815
申请日
2018-10-25
公开(公告)号
JP2021501261A
公开(公告)日
2021-01-14
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
C23C16/44
IPC分类号
C01B33/03 C23C16/24 C30B25/02 C30B29/06 H01L21/205
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
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共 50 条
[1]
シリコンを製造する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018504339A ,2018-02-15
[2]
シリコン−炭素複合体を製造する方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2019507096A ,2019-03-14
[3]
シリコンナノ粒子を製造する方法および装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025527911A ,2025-08-22
[4]
リグニンを有用化合物に変換する連続法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015512882A ,2015-04-30
[5]
リグニンを有用化合物に変換する連続法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015536926A ,2015-12-24
[6]
リグニンを有用化合物に変換する連続法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015508093A ,2015-03-16
[7]
[9]
シリコーン表面を下塗りする方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2021510178A ,2021-04-15
[10]
連続発酵方法及び連続発酵装置[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025129931A ,2025-09-05