磁気抵抗効果素子、磁気センサ及び磁気メモリ[ja]

被引:0
申请号
JP20160171995
申请日
2016-09-02
公开(公告)号
JP6103123B1
公开(公告)日
2017-03-29
发明(设计)人
申请人
申请人地址
IPC主分类号
G01R33/09
IPC分类号
H01F10/30 H01L21/8246 H01L27/105 H01L29/82 H10N50/10
代理机构
代理人
法律状态
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011152281A1 ,2013-07-25
[2]
磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011111473A1 ,2013-06-27
[3]
スピン流磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2019031226A1 ,2019-12-19
[4]
磁気抵抗素子及び磁気メモリ[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2011121777A1 ,2013-07-04
[5]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016158867A1 ,2018-02-01
[6]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016158849A1 ,2018-02-01
[7]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016158865A1 ,2018-01-25
[8]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016158926A1 ,2018-02-01
[9]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016158910A1 ,2018-01-25
[10]
磁気抵抗効果素子[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2016158923A1 ,2018-02-01