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トランジスタの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200539314
申请日
:
2019-08-09
公开(公告)号
:
JPWO2020045064A1
公开(公告)日
:
2021-08-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/336
IPC分类号
:
H01L21/28
H01L21/288
H01L29/417
H01L29/423
H01L29/49
H01L29/786
H10K99/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
トランジスタの製造方法[ja]
[P].
KAWAKAMI YUSUKE
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NIKON CORP
KAWAKAMI YUSUKE
.
日本专利
:JP2022132379A
,2022-09-08
[2]
トランジスタ、トランジスタの放熱構造及びトランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016507889A
,2016-03-10
[3]
薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
IKEDA NORIAKI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TOPPAN HOLDINGS INC
TOPPAN HOLDINGS INC
IKEDA NORIAKI
.
日本专利
:JP2024012995A
,2024-01-31
[4]
有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008102619A1
,2010-05-27
[5]
薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを用いた画像表示装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016152090A1
,2018-01-11
[6]
組成物、積層体、積層体の製造方法、トランジスタおよびトランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014106955A1
,2017-01-19
[7]
組成物、積層体、積層体の製造方法、トランジスタおよびトランジスタの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014092019A1
,2017-01-12
[8]
有機トランジスタ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010010791A1
,2012-01-05
[9]
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006098416A1
,2008-08-28
[10]
プロスタグランジン誘導体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019087948A1
,2020-11-12
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