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シリルホスフィン化合物、シリルホスフィン化合物の製造方法及びInP量子ドットの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20200510790
申请日
:
2019-03-20
公开(公告)号
:
JPWO2019188680A1
公开(公告)日
:
2021-04-01
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C07F19/00
IPC分类号
:
C01B25/08
C07F7/08
C07F9/06
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
シリルホスフィン化合物、シリルホスフィン化合物の製造方法及びInP量子ドットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7273027B2
,2023-05-12
[2]
シリルホスフィン化合物の製造方法及びシリルホスフィン化合物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018061869A1
,2018-09-27
[3]
シリルホスフィン化合物の製造方法及びシリルホスフィン化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP7077180B2
,2022-05-30
[4]
シリルホスフィン化合物の製造方法及びシリルホスフィン化合物[ja]
[P].
日本专利
:JP6401426B2
,2018-10-10
[5]
(ポリ)スルフィド化合物の製造方法およびエピスルフィド化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7064855B2
,2022-05-11
[6]
(ポリ)スルフィド化合物の製造方法およびエピスルフィド化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6200124B1
,2017-09-20
[7]
(ポリ)スルフィド化合物の製造方法およびエピスルフィド化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017159839A1
,2018-03-22
[8]
トリスルフィド化合物又はセレノトリスルフィド化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7692403B2
,2025-06-13
[9]
ジスルホニルフロリド化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006106960A1
,2008-09-18
[10]
スルフィルイミン化合物の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6138834B2
,2017-05-31
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