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低温における向上された磁束ピンニングを有する半導体[ja]
被引:0
申请号
:
JP20160505620
申请日
:
2014-04-01
公开(公告)号
:
JP2016522534A
公开(公告)日
:
2016-07-28
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01B12/06
IPC分类号
:
H10N60/01
C23C16/40
H01B13/00
H10N60/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 26 条
[1]
制御された方法で超伝導体線材上にピンニングセンターを生成する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023514481A
,2023-04-06
[2]
改良された光電流を有する有機太陽電池[ja]
[P].
日本专利
:JP2016529705A
,2016-09-23
[3]
TixSi1−xN層を含んでなるコーティングを有するワークピースをコーティングする方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2016534217A
,2016-11-04
[4]
バイパスされたゲート構造を有するトランジスタ[ja]
[P].
日本专利
:JP2022079655A
,2022-05-26
[5]
印刷回路基板における損失を制御するための構造および方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018533345A
,2018-11-08
[6]
スナバ回路及びスナバ回路を有するパワー半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006003936A1
,2007-08-16
[7]
導電性ダイヤモンド電極を有する電気化学セル[ja]
[P].
日本专利
:JP2019508223A
,2019-03-28
[8]
集電体上において保護及びロック層を有する電極[ja]
[P].
日本专利
:JP2023516000A
,2023-04-17
[9]
積層造形された金属部品上の金属製支持構造体を除去するためのプロセス[ja]
[P].
日本专利
:JP2022508896A
,2022-01-19
[10]
超伝導体の極低温放射線照射向上のための技術並びに関連するシステム及び方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022512581A
,2022-02-07
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