有機トランジスタ用有機半導体材料及び有機トランジスタ素子[ja]

被引：0

申请号：

JP20150508159

申请日：

2014-02-12

公开(公告)号：

JPWO2014156342A1

公开(公告)日：

2017-02-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10K99/00

IPC分类号：

C07D487/04 C07D519/00 H01L29/786

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共 50 条

[1]

有機トランジスタ用有機半導体材料及び有機トランジスタ素子[ja] [P].

日本专利 :JP6275117B2 ,2018-02-07

[2]

有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子、有機半導体材料及び有機半導体膜[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006059486A1 ,2008-06-05

[3]

有機半導体材料、及び有機トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP5964703B2 ,2016-08-03

[4]

有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2010101224A1 ,2012-09-10

[5]

有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの形成方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006098121A1 ,2008-08-21

[6]

有機半導体材料、および、有機トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP6009287B2 ,2016-10-19

[7]

有機薄膜トランジスタ、有機半導体材料、有機半導体膜、及び有機半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2007088768A1 ,2009-06-25

[8]

有機トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015133402A1 ,2017-04-06

[9]

有機トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2020508576A ,2020-03-19

[10]

有機トランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JPWO2009063780A1 ,2011-03-31

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