導電体の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20090505129

申请日：

2008-03-06

公开(公告)号：

JPWO2008114620A1

公开(公告)日：

2010-07-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01B13/00

IPC分类号：

C23C14/08 H01B5/14

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共 50 条

[1]

透明導電体の製造方法及び透明導電体[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015107968A1 ,2017-03-23

[2]

酸化物超電導導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5624840B2 ,2014-11-12

[3]

酸化物超電導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5763251B2 ,2015-08-12

[4]

酸化物超電導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5649626B2 ,2015-01-07

[5]

透明導電体及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2014171149A1 ,2017-02-16

[6]

酸化物超電導導体とその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5693398B2 ,2015-04-01

[7]

酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP5941636B2 ,2016-06-29

[8]

酸化物超電導導体及び酸化物超電導導体の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6276523B2 ,2018-02-07

[9]

半導体装置の製造方法、半導体装置、半導体製造装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2013153777A1 ,2015-12-17

[10]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

YONEDA SHUNICHI ;

MATSUO KAZUNORI ;

TODA MASAYA ;

TAKAHASHI KOTA ;

NAKADA SOYA ;

TORAYA KENICHIRO ;

HOANG HA ;

DOI TAKUMA ;

MORIYAMA WAKAKO .

日本专利 :JP2025047788A ,2025-04-03

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