半導体装置および半導体装置を含む半導体システム[ja]

被引：0

申请号：

JP20200530245

申请日：

2019-07-11

公开(公告)号：

JPWO2020013259A1

公开(公告)日：

2021-07-15

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/12 H01L29/78

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共 50 条

[1]

半導体装置および半導体装置を含む半導体システム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020013260A1 ,2021-08-02

[2]

半導体装置および半導体装置を含む半導体システム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020013262A1 ,2021-08-02

[3]

結晶、結晶性酸化物半導体、結晶性酸化物半導体を含む半導体膜、結晶および／または半導体膜を含む半導体装置および半導体装置を含むシステム[ja] [P].

日本专利 :JP7624136B2 ,2025-01-30

[4]

半導体材料、および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019145827A1 ,2021-01-28

[5]

半導体材料、および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019102314A1 ,2020-11-26

[6]

積層構造体、積層構造体を含む半導体装置および半導体システム[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020013261A1 ,2021-08-02

[7]

酸化物半導体膜および半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP6460591B2 ,2019-01-30

[8]

酸化物半導体膜および、半導体装置[ja] [P].

SAKAZUME TAKAHIRO .

日本专利 :JP2025116201A ,2025-08-07

[9]

ｐ型酸化物半導体及びｐ型酸化物半導体を含む半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP7678955B2 ,2025-05-19

[10]

半導体装置、および半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020084406A1 ,2021-10-28

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