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抵抗器への常伝導金属接続を備えた超伝導体構造およびその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220529930
申请日
:
2020-11-21
公开(公告)号
:
JP2023503932A
公开(公告)日
:
2023-02-01
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H10N60/82
IPC分类号
:
H10N69/00
H01L21/822
H10N60/01
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
高温超伝導線材の製造方法および高温超伝導線材[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015041173A1
,2017-03-02
[2]
半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014024796A1
,2016-07-25
[3]
接続機構、半導体パッケージ、およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006098026A1
,2008-08-21
[4]
高電気伝導性を持つ粒子、材料及びその関連の接続構造体[ja]
[P].
日本专利
:JP7497912B1
,2024-06-11
[5]
高電気伝導性を持つ粒子、材料及びその関連の接続構造体[ja]
[P].
KAMIYA EMI MACHIDA TETSUO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
M3 CO LTD
M3 CO LTD
KAMIYA EMI MACHIDA TETSUO
.
日本专利
:JP2024123642A
,2024-09-12
[6]
CMOS半導体装置およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009072421A1
,2011-04-21
[7]
スイッチング可能な半導体素子を備える半導体装置およびその製造のための方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025536427A
,2025-11-05
[8]
金属部材の締結構造およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025131093A
,2025-09-09
[9]
高熱伝導複合材料とその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006120803A1
,2008-12-18
[10]
半導体装置及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006046302A1
,2008-05-22
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