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アミック酸を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120501786
申请日
:
2011-02-22
公开(公告)号
:
JPWO2011105368A1
公开(公告)日
:
2013-06-20
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
G03F7/11
IPC分类号
:
C08G77/26
G03F7/26
H01L21/027
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
アミド溶媒を含むレジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018131562A1
,2019-11-07
[2]
ジケトン構造含有有機基を含むシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012102261A1
,2014-06-30
[3]
スルホンアミド基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011033965A1
,2013-02-14
[4]
環状アミノ基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009104552A1
,2011-06-23
[5]
アニオン基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010071155A1
,2012-05-31
[6]
ウレア基を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2009088039A1
,2011-05-26
[7]
窒素含有環を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011102470A1
,2013-06-17
[8]
アミド基含有ポリエステルを含むレジスト下層膜形成用組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018070303A1
,2019-08-08
[9]
湿式除去が可能なシリコン含有レジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016080217A1
,2017-08-31
[10]
液状添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2008026468A1
,2010-01-21
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