金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス[ja]

被引：0

申请号：

JP20160529260

申请日：

2015-06-09

公开(公告)号：

JPWO2015198857A1

公开(公告)日：

2017-06-01

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/368

IPC分类号：

H01L21/20 H01L21/336 H01L27/146 H01L29/786 H01L51/50 H05B33/28

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共 50 条

[1]

金属酸化物膜、金属酸化物膜の製造方法、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6250481B2 ,2017-12-20

[2]

金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP6177711B2 ,2017-08-09

[3]

金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015182679A1 ,2017-04-27

[4]

金属酸化物膜の製造方法、金属酸化物膜、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、電子デバイス、及び紫外線照射装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016088882A1 ,2017-09-07

[5]

酸化物保護膜の製造方法、酸化物保護膜、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタ、及び電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016121230A1 ,2017-07-13

[6]

金属酸化物半導体膜の製造方法、ならびに、金属酸化物半導体膜、薄膜トランジスタおよび電子デバイス[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016067799A1 ,2017-08-17

[7]

金属酸化物膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6271760B2 ,2018-01-31

[8]

金属酸化物膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6061831B2 ,2017-01-18

[9]

金属酸化物膜及びトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2022172229A ,2022-11-15

[10]

金属酸化物膜の製造方法、及びトランジスタの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015019717A1 ,2017-03-02

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