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イネの鉄などの金属錯体の吸収や輸送に関与するトランスポーター、その遺伝子[ja]
被引:0
申请号
:
JP20050514219
申请日
:
2004-09-27
公开(公告)号
:
JPWO2005030950A1
公开(公告)日
:
2007-11-15
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C12N15/09
IPC分类号
:
C07K14/415
C12N5/10
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 24 条
[1]
鉄サイトの一部が鉄以外の金属元素で置換されたε酸化鉄粉体とその製造方法、並びに、ペースト[ja]
[P].
日本专利
:JP6916022B2
,2021-08-11
[2]
マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体及びその製造方法、並びに電波吸収体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020044706A1
,2021-05-13
[3]
マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体及びその製造方法、並びに電波吸収体[ja]
[P].
HASHIMOTO KOICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
FUJIFILM CORP
HASHIMOTO KOICHI
.
日本专利
:JP2022022302A
,2022-02-03
[4]
マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粒子及びその製造方法、並びに電波吸収体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019131675A1
,2020-11-19
[5]
マグネトプランバイト型六方晶フェライトの粉体混合物及びその製造方法、並びに電波吸収体[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020044702A1
,2021-04-30
[6]
シリコン共晶合金を含む工業コンポーネント及びそのコンポーネントを作製する方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2015517057A
,2015-06-18
[7]
薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成溶液[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018074607A1
,2019-09-05
[8]
マグネトプランバイト型六方晶フェライト磁性粉及びその製造方法並びに電波吸収体及びその製造方法[ja]
[P].
YAMAJI HIDENOBU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO
YAMAJI HIDENOBU
;
SUZUKI HIROMI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO
SUZUKI HIROMI
.
日本专利
:JP2023030020A
,2023-03-07
[9]
金属ガラス膜作製用スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006051737A1
,2008-08-07
[10]
グルコースを測定するために貴金属を活性化させる方法と、関連するバイオセンサーの電極[ja]
[P].
日本专利
:JP2014528583A
,2014-10-27
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