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不揮発性半導体記憶装置[ja]
被引:0
申请号
:
JP20110551622
申请日
:
2010-01-28
公开(公告)号
:
JPWO2011092821A1
公开(公告)日
:
2013-05-30
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L27/105
IPC分类号
:
H01L21/329
H01L21/336
H01L21/8247
H01L27/115
H01L29/788
H01L29/792
H01L29/88
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
不揮発性半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2014068961A1
,2016-09-08
[2]
不揮発性半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2010026625A1
,2012-01-26
[3]
不揮発性半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006027920A1
,2008-07-31
[4]
不揮発性半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013132781A1
,2015-07-30
[5]
不揮発性記憶回路[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2016185903A1
,2018-03-08
[6]
可変抵抗素子、及び、不揮発性半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JP5680927B2
,2015-03-04
[7]
不揮発性半導体メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JP5700602B1
,2015-04-15
[8]
不揮発性半導体メモリ[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011036775A1
,2013-02-14
[9]
不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006137110A1
,2009-01-08
[10]
半導体記憶装置[ja]
[P].
日本专利
:JP7209068B1
,2023-01-19
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