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磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体[ja]

被引：0
申请号：
JP20100527666
申请日：
2009-08-12
公开(公告)号：
JPWO2010026703A1
公开(公告)日：
2012-01-26
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H10N50/10
IPC分类号：
C23C14/14 H01L21/8246 H01L27/105 H10N50/01
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010026704A1 ,2012-01-26
[2]
磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010026705A1 ,2012-01-26
[3]
磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010026725A1 ,2012-01-26
[4]
磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010029701A1 ,2012-02-02
[5]
磁気抵抗素子とその製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010023833A1 ,2012-01-26
[6]
磁気抵抗素子の製造方法、該製造方法に用いる記憶媒体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010029702A1 ,2012-02-02
[7]
磁気抵抗素子、その製造方法、および該製造方法に用いる記憶媒体[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2010064564A1 ,2012-05-10
[8]
磁気抵抗素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP6072478B2 ,2017-02-01
[9]
磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2009110608A1 ,2011-07-14
[10]
磁気抵抗素子の製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JPWO2017068611A1 ,2017-10-19
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