半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20220010945

申请日：

2022-01-27

公开(公告)号：

JP2022044772A

公开(公告)日：

2022-03-17

发明(设计)人：

MIYAIRI HIDEKAZU AKIMOTO KENGO NAKAMURA YASUO

申请人：

SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L29/786

代理机构：

代理人：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI .

日本专利 :JP2023001235A ,2023-01-04

[2]

半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017182910A1 ,2019-02-21

[3]

半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025012733A ,2025-01-24

[4]

半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019135137A1 ,2020-12-24

[5]

半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

KAMINAGA MASAMI ;

KUROSAKI DAISUKE ;

TAMURA SHIORI ;

HIZUKA JUNICHI ;

IGUCHI TAKAHIRO ;

SHIODA EIJI .

日本专利 :JP2025042595A ,2025-03-27

[6]

半導体装置の作製方法、及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JP2025146906A ,2025-10-03

[7]

半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP6138394B1 ,2017-05-31

[8]

半導体装置、及び、半導体装置の作製方法[ja] [P].

HIZUKA JUNICHI ;

OKAZAKI KENICHI ;

KUROSAKI DAISUKE ;

SHIMA YUKINORI ;

HOSAKA HIROYASU .

日本专利 :JP2022017592A ,2022-01-25

[9]

半導体装置及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

YAMAZAKI SHUNPEI ;

SUZAWA HIDEOMI ;

OKAZAKI YUTAKA ;

MIYAIRI HIDEKAZU .

日本专利 :JP2024116165A ,2024-08-27

[10]

半導体装置、及び半導体装置の作製方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025134014A ,2025-09-11

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