一种IGBT模组的双脉冲测试电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322877100.X

申请日：

2023-10-25

公开(公告)号：

CN221199847U

公开(公告)日：

2024-06-21

发明(设计)人：

黄晓意张小兵胡绍国廖光朝

申请人：

重庆云潼科技有限公司

申请人地址：

400000 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/00 G01R31/28

代理机构：

重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213

代理人：

黄妍

法律状态：

授权

国省代码：

重庆市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT模块双脉冲测试电路及设备 [P].

蒋开悦 ;

张小兵 ;

胡绍国 ;

廖光朝 .

中国专利 :CN221100949U ,2024-06-07

[2]

一种三电平集成逆变IGBT模组的双脉冲测试电路 [P].

王宏 ;

王文波 ;

屈恺 ;

张燕 .

中国专利 :CN215986349U ,2022-03-08

[3]

一种双脉冲测试电路 [P].

赵化勇 ;

王鑫 ;

欧东赢 ;

吴瑞 .

中国专利 :CN119758017A ,2025-04-04

[4]

一种双脉冲测试电路 [P].

赵化勇 ;

王鑫 ;

欧东赢 ;

吴瑞 .

中国专利 :CN119758017B ,2025-06-13

[5]

一种IGBT双脉冲测试电路 [P].

王飞 ;

高文进 ;

胡刚毅 ;

吕凤龙 .

中国专利 :CN210005632U ,2020-01-31

[6]

一种三电平集成逆变IGBT模组的双脉冲测试电路和方法 [P].

王宏 ;

王文波 ;

屈恺 ;

张燕 .

中国专利 :CN113325291A ,2021-08-31

[7]

一种三电平集成逆变IGBT模组的双脉冲测试电路和方法 [P].

王宏 ;

王文波 ;

屈恺 ;

张燕 .

中国专利 :CN113325291B ,2025-09-23

[8]

一种Si IGBT与SiC Mosfet混合并联的双脉冲测试电路 [P].

周智阳 .

中国专利 :CN223551835U ,2025-11-14

[9]

一种双脉冲测试电路及三电平模块 [P].

刘欣 ;

栗赛男 ;

黄静怡 .

中国专利 :CN221595165U ,2024-08-23

[10]

双脉冲测试电路及双脉冲测试方法 [P].

张铭远 .

中国专利 :CN114755551A ,2022-07-15

← 1 2 3 4 5 →