快恢复二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410466095.X

申请日：

2024-04-18

公开(公告)号：

CN118299261A

公开(公告)日：

2024-07-05

发明(设计)人：

缪家乐杨继业潘嘉黄璇张鹏

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21/329

IPC分类号：

H01L29/861 H01L29/40 H01L29/06

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

崔莹

法律状态：

公开

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-05	公开	公开
2024-07-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/329申请日:20240418

共 50 条

[1]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

胡敏 ;

孟繁新 ;

李睿 ;

马克强 ;

王思亮 ;

岳兰 .

中国专利 :CN119008663A ,2024-11-22

[2]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

李伟聪 ;

伍济 .

中国专利 :CN115312581A ,2022-11-08

[3]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

曹群 ;

郭小青 .

中国专利 :CN114649419A ,2022-06-21

[4]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

曹群 ;

郭小青 .

中国专利 :CN114649420A ,2022-06-21

[5]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

肖秀光 ;

张伟 .

中国专利 :CN111211157A ,2020-05-29

[6]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

肖秀光 ;

朱辉 .

中国专利 :CN111106181B ,2020-05-05

[7]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

曹梦玲 ;

周东飞 ;

钟圣荣 .

中国专利 :CN118888571A ,2024-11-01

[8]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

和峰 ;

刘钺杨 ;

金锐 ;

温家良 ;

连建红 ;

刘江 ;

董少华 ;

冷国庆 ;

吴军民 ;

潘艳 .

中国专利 :CN109216472A ,2019-01-15

[9]

快恢复二极管及其制备方法 [P].

刘勇强 ;

曾丹 ;

敖利波 ;

肖婷 ;

史波 .

中国专利 :CN112310226A ,2021-02-02

[10]

沟槽式快恢复二极管及其制备方法 [P].

林茂 ;

戚丽娜 ;

张景超 ;

钱锴 ;

刘利峰 ;

赵善麒 ;

王晓宝 .

中国专利 :CN105762198A ,2016-07-13

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