多层电子组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311394395.3

申请日：

2023-10-25

公开(公告)号：

CN118782388A

公开(公告)日：

2024-10-15

发明(设计)人：

金亨旭金润权亨纯南光熙尹硕晛

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G4/12

IPC分类号：

H01G4/30 C04B35/468 C01G23/00

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

赵晓旋;包国菊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件 [P].

尹硕晛 ;

权亨纯 ;

田仁浩 ;

李炳虎 ;

金美良 .

韩国专利 :CN118824728A ,2024-10-22

[2]

多层电子组件 [P].

朴时泽 ;

金亨旭 .

韩国专利 :CN120089527A ,2025-06-03

[3]

多层电子组件 [P].

李丞镛 ;

徐东讚 ;

李勇和 ;

朴相珍 ;

申眞福 .

韩国专利 :CN118073092A ,2024-05-24

[4]

多层电子组件 [P].

洪赫辰 ;

宋永训 ;

梁松姬 .

韩国专利 :CN120072519A ,2025-05-30

[5]

多层电子组件 [P].

林容晙 ;

孙培淳 ;

姜晟馨 ;

李卿颢 ;

裵世娜 ;

陈慧珍 ;

朴相彦 .

韩国专利 :CN118824735A ,2024-10-22

[6]

多层电子组件 [P].

李炅烈 ;

尹基明 ;

南灿熙 .

韩国专利 :CN119314802A ,2025-01-14

[7]

多层电子组件 [P].

田喜善 ;

金珍友 ;

金兑炯 ;

李孝柱 ;

尹硕晛 ;

金正烈 .

韩国专利 :CN118213194A ,2024-06-18

[8]

多层电子组件 [P].

金相祐 ;

尹惠圣 ;

李和泳 ;

景山 ;

郑雪雅 .

韩国专利 :CN120236899A ,2025-07-01

[9]

多层电子组件 [P].

南灿熙 ;

权五训 ;

朴宰贤 ;

白宽烈 ;

李敞健 ;

丁海硕 .

韩国专利 :CN118263026A ,2024-06-28

[10]

多层电子组件 [P].

李长烈 ;

房惠民 ;

金汎洙 .

中国专利 :CN114628150A ,2022-06-14

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