一种采用栅调制石墨烯/半导体肖特基结的光电探测器及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011520157.9

申请日：

2020-12-21

公开(公告)号：

CN112635614B

公开(公告)日：

2024-09-06

发明(设计)人：

李国强陈胜王文樑柴吉星孔德麒

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L31/108

IPC分类号：

H01L31/0224 H01L31/028 H01L31/18

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

王东东

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种采用栅调制石墨烯/半导体肖特基结的光电探测器 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 ;

孔德麒 .

中国专利 :CN214797436U ,2021-11-19

[2]

一种采用栅调制石墨烯/半导体肖特基结的光电探测器及制备方法 [P].

李国强 ;

陈胜 ;

王文樑 ;

柴吉星 ;

孔德麒 .

中国专利 :CN112635614A ,2021-04-09

[3]

一种基于薄膜半导体‑石墨烯异质结的光电探测器制备方法 [P].

程新红 ;

郑理 ;

王中健 ;

曹铎 ;

王谦 ;

沈玲燕 ;

张栋梁 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN105206689B ,2015-12-30

[4]

一种缺陷态石墨烯/半导体异质结光电探测器 [P].

高超 ;

曹小雪 ;

徐杨 ;

彭蠡 .

中国专利 :CN111384197B ,2020-07-07

[5]

一种基于石墨烯-半导体异质结的位敏感光电探测器 [P].

翟雨生 ;

王琦龙 ;

计吉焘 .

中国专利 :CN109768114A ,2019-05-17

[6]

一种含有插层的石墨烯/硅肖特基结光电探测器及制备工艺 [P].

杨树明 ;

吉培瑞 ;

王筱岷 ;

张泽 ;

王亮亮 .

中国专利 :CN112993075B ,2021-06-18

[7]

一种石墨烯‑黑磷异质结光电探测器及制备方法 [P].

鲍小志 .

中国专利 :CN106328720A ,2017-01-11

[8]

石墨烯/碳纳米管薄膜肖特基结光电探测器及其制备方法 [P].

罗林保 ;

张腾飞 ;

汪丹丹 ;

邹宜峰 ;

梁凤霞 .

中国专利 :CN106024968A ,2016-10-12

[9]

一种石墨烯光电探测器及其制备方法 [P].

胡晓 ;

肖希 ;

张宇光 ;

陈代高 ;

李淼峰 ;

王磊 ;

冯朋 ;

余少华 .

中国专利 :CN109638104A ,2019-04-16

[10]

一种双栅结构的二维半导体光电探测器及其制备方法 [P].

罗小光 ;

徐金鹏 ;

程迎春 ;

甘雪涛 ;

黄维 .

中国专利 :CN111739964B ,2020-10-02

← 1 2 3 4 5 →