一种空心硒化钴纳米球的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410817393.9
申请日
2024-06-23
公开(公告)号
CN118684197A
公开(公告)日
2024-09-24
发明(设计)人
董丽敏 马千 李丹 李健 庄艳丽 单连伟
申请人
哈尔滨理工大学
申请人地址
150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学
IPC主分类号
C01B19/04
IPC分类号
B82Y40/00
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
黑龙江省 哈尔滨市
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共 50 条
[1]
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[7]
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