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一种长余辉CDs-SiO<sub>2</sub>复合材料及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410555656.3
申请日：
2024-05-07
公开(公告)号：
CN118419942A
公开(公告)日：
2024-08-02
发明(设计)人：
何江玲 祝振洲 李书艺 张娜
申请人：
武汉轻工大学
申请人地址：
430000 湖北省武汉市常青花园学府南路68号
IPC主分类号：
C01B33/12
IPC分类号：
C01B32/15 G01N21/64
代理机构：
成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224
代理人：
杨欢
法律状态：
授权
国省代码：
湖北省 武汉市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-19 授权 授权
2024-08-02 公开 公开
2024-08-20 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/12申请日:20240507
共 50 条
[1]
一种长余辉CDs-SiO<sub>2</sub>复合材料及其制备方法 [P]. 
何江玲 ;
祝振洲 ;
李书艺 ;
张娜 .
中国专利 :CN118419942B ,2024-11-19
[2]
一种TiB<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>复合材料及其制备方法 [P]. 
刘雄章 ;
李江涛 ;
杨雨舟 ;
耿超 .
中国专利 :CN119954168A ,2025-05-09
[3]
Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>@SiO<sub>2</sub>@VTEs@MIPs复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
梁德权 ;
潘高峰 ;
李琦 .
中国专利 :CN120137097A ,2025-06-13
[4]
一种明胶纳米SiO<sub>2</sub>矿化杨木复合材料的制备方法 [P]. 
李权 ;
韩建超 ;
张惠敏 ;
吴志刚 ;
孙焱焱 ;
段卫国 .
中国专利 :CN120137420A ,2025-06-13
[5]
一种VO<sub>2</sub>/SiO<sub>2</sub>复合材料的制备方法 [P]. 
蒋绪川 ;
徐慧妍 ;
马歆 ;
王尚 ;
郭小丹 ;
聂永 .
中国专利 :CN114890473B ,2024-02-06
[6]
一种SiO<sub>2</sub>/C复合材料及其制备方法与应用 [P]. 
王义铭 ;
林国昌 ;
粟本龙 ;
彭俊彪 ;
吴健 ;
王友善 .
中国专利 :CN119461309B ,2025-10-28
[7]
一种SiO<sub>2</sub>/C复合材料及其制备方法与应用 [P]. 
王义铭 ;
林国昌 ;
粟本龙 ;
彭俊彪 ;
吴健 ;
王友善 .
中国专利 :CN119461309A ,2025-02-18
[8]
一种纳米SiO<sub>2</sub>/LPF复合材料的制备方法 [P]. 
王晓峰 ;
何忠禹 ;
朱燕超 ;
王子忱 .
中国专利 :CN114656605B ,2024-04-12
[9]
一种NiCo<sub>2</sub>O<sub>4</sub>@SiO<sub>2</sub>/GNs吸波材料及其制备方法 [P]. 
王士元 ;
王川 .
中国专利 :CN117479513A ,2024-01-30
[10]
一种FexOy/SiO2复合材料及其制备方法 [P]. 
姬广斌 ;
郑晶 ;
林小慧 .
中国专利 :CN103268801A ,2013-08-28
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