一种MOS器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410734083.0

申请日：

2024-06-07

公开(公告)号：

CN118335802B

公开(公告)日：

2024-09-06

发明(设计)人：

王岩吴卓杰唐凌丁文凤覃庆媛谭发龙成悦兴

申请人：

杭州积海半导体有限公司

申请人地址：

311225 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/423 H01L21/336 H01L21/8234

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/78申请日:20240607
2024-09-06	授权	授权
2024-07-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种MOS器件及其形成方法 [P].

王岩 ;

吴卓杰 ;

唐凌 ;

丁文凤 ;

覃庆媛 ;

谭发龙 ;

成悦兴 .

中国专利 :CN118335802A ,2024-07-12

[2]

MOS器件及其形成方法 [P].

张可 ;

李业超 .

中国专利 :CN119833397A ,2025-04-15

[3]

MOS器件及其形成方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN102074475A ,2011-05-25

[4]

MOS器件及其形成方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119894015A ,2025-04-25

[5]

MOS器件及其形成方法 [P].

蒋林峰 ;

李秋茂 ;

林昭宏 .

中国专利 :CN120882045A ,2025-10-31

[6]

MOS器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103165427A ,2013-06-19

[7]

MOS器件及其形成方法 [P].

王文博 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN103545206B ,2014-01-29

[8]

MOS器件及其形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN103811348B ,2014-05-21

[9]

MOS器件的形成方法及其形成的MOS器件 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103137480B ,2013-06-05

[10]

MOS器件的形成方法 [P].

胡盖 ;

吴雷 ;

陈白杨 .

中国专利 :CN113675078B ,2021-11-19

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