非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111445535.6

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN114147219B

公开(公告)日：

2024-06-14

发明(设计)人：

王策陈卫红宗伟胡丽红

申请人：

佛山中研磁电科技股份有限公司

申请人地址：

528000 广东省佛山市南海区里水和桂工业园B区顺景大道15号

IPC主分类号：

B22F1/16

IPC分类号：

B22F9/08 C22C33/02 C22C38/00 C22C38/02 C22C38/04 C22C38/32 C22C45/02 H01F1/153 H01F1/33 H01F41/02

代理机构：

广州科粤专利商标代理有限公司 44001

代理人：

庞伟健;莫瑶江

法律状态：

授权

国省代码：

山东省青岛市

引用

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共 50 条

[1]

非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147219A ,2022-03-08

[2]

非晶纳米晶雾化粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147212A ,2022-03-08

[3]

非晶纳米晶雾化粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147212B ,2024-06-18

[4]

间隙填充的非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147218A ,2022-03-08

[5]

间隙填充的非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147218B ,2024-07-05

[6]

非晶纳米晶母合金及其制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114150235A ,2022-03-08

[7]

预退火处理的非晶纳米晶绝缘成品粉末的制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147220A ,2022-03-08

[8]

预退火处理的非晶纳米晶绝缘成品粉末的制备方法 [P].

王策 ;

陈卫红 ;

宗伟 ;

胡丽红 .

中国专利 :CN114147220B ,2024-06-18

[9]

非晶纳米晶软磁合金及其制备方法 [P].

李翔 ;

孙皓 ;

潘登 .

中国专利 :CN103060723A ,2013-04-24

[10]

复合非晶成品粉末及其制备方法 [P].

王策 ;

孙海波 ;

陈卫红 .

中国专利 :CN110571010A ,2019-12-13

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	授权	授权
2024-06-04	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):B22F 1/16变更事项:申请人变更前:佛山市中研非晶科技股份有限公司变更后:佛山中研磁电科技股份有限公司变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:528000 广东省佛山市南海区里水和桂工业园B区顺景大道15号变更后:528000 广东省佛山市南海区里水和桂工业园B区顺景大道15号