一种非晶储氢高熵合金薄膜及其制备方法和应用

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专利类型
发明
申请号
CN202410750348.6
申请日
2024-06-12
公开(公告)号
CN118326337A
公开(公告)日
2024-07-12
发明(设计)人
郁杰 陈兆睿 李刚 孙永菊
申请人
中国科学院合肥物质科学研究院
申请人地址
230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
IPC主分类号
C23C14/16
IPC分类号
C23C14/35 C22C45/10 C01B3/00
代理机构
北京润平知识产权代理有限公司 11283
代理人
丁勇
法律状态
实质审查的生效
国省代码
北京市
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共 50 条
[1]
一种非晶储氢高熵合金薄膜及其制备方法和应用 [P]. 
郁杰 ;
陈兆睿 ;
李刚 ;
孙永菊 .
中国专利 :CN118326337B ,2024-08-30
[2]
一种高熵非晶薄膜及制备方法和应用 [P]. 
王泽 ;
姚远远 ;
彭涛 ;
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吴建珍 ;
杨桂东 ;
杨晓红 ;
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卢雅琳 ;
雷卫宁 ;
孙志娟 ;
叶霞 .
中国专利 :CN110106473A ,2019-08-09
[3]
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[5]
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[10]
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