用于流体喷射头的喷射头芯片及减小硅搁架宽度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210138927.6

申请日：

2022-02-15

公开(公告)号：

CN115008902B

公开(公告)日：

2024-08-16

发明(设计)人：

大卫·L·贝尔纳

申请人：

船井电机株式会社

申请人地址：

日本大阪府大东市中垣内7丁目7番1号

IPC主分类号：

B41J2/14

IPC分类号：

B41J2/16

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

屈蓓;黄健

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):B41J 2/14登记生效日:20250706变更事项:专利权人变更前权利人:船井电机株式会社变更后权利人:布雷迪全球公司变更事项:国家或地区变更前权利人:日本变更后权利人:美国变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府大东市中垣内7丁目7番1号变更后权利人:美国威斯康星州
2024-08-16	授权	授权

共 50 条

[1]

用于流体喷射头的喷射头芯片及减小硅搁架宽度的方法 [P].

大卫·L·贝尔纳 .

中国专利 :CN115008902A ,2022-09-06

[2]

流体喷射头及制作流体喷射头的方法 [P].

克里斯多夫·A·克拉夫特 ;

大卫·L·贝尔纳 ;

安德鲁·L·麦克尼斯 ;

尚恩·T·威佛 .

中国专利 :CN107953672B ,2018-04-24

[3]

喷嘴板、流体喷射头、及制造流体喷射头的方法 [P].

尚恩·T·威佛 .

中国专利 :CN114379233A ,2022-04-22

[4]

流体喷射头及流体喷射装置 [P].

铃木繁树 .

中国专利 :CN101264471B ,2008-09-17

[5]

头芯片、头芯片的制造方法、液体喷射头、液体喷射装置 [P].

堂前美德 .

中国专利 :CN103909733A ,2014-07-09

[6]

流体喷射头、改良其的方法及制作喷流喷射头的方法 [P].

尚恩·T·威佛 .

日本专利 :CN115090432B ,2024-06-14

[7]

流体喷射头、改良其的方法及制作喷流喷射头的方法 [P].

尚恩·T·威佛 .

中国专利 :CN115090432A ,2022-09-23

[8]

流体射流喷射装置及制造喷射头的方法 [P].

麦可·A·马拉三世 .

日本专利 :CN115300772B ,2024-10-01

[9]

喷射头、制造其的方法及多流体喷射头 [P].

麦可·A·马拉三世 .

日本专利 :CN115230323B ,2024-04-12

[10]

液体喷射头芯片的制造方法、液体喷射头芯片、液体喷射头及液体喷射记录装置 [P].

中山仁 .

中国专利 :CN114590030A ,2022-06-07

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