一种近红外长余辉纳米材料及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310918082.7

申请日：

2023-07-25

公开(公告)号：

CN116948645B

公开(公告)日：

2024-07-09

发明(设计)人：

史俊朋王瑾媛张云孙霞罗小芳高艳

申请人：

中国科学院赣江创新研究院

申请人地址：

341001 江西省赣州市赣县区储潭镇储潭圩科学院路1号

IPC主分类号：

C09K11/80

IPC分类号：

B82Y20/00 B82Y40/00 A61K49/00 G01N21/62 G01N21/84

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

王艳斋

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-09	授权	授权

共 50 条

[1]

近红外长余辉纳米发光材料及其制备方法与应用 [P].

林利添 ;

谢伟 ;

倪海勇 ;

张秋红 ;

姜伟 ;

丁建红 ;

李许波 .

中国专利 :CN110746967B ,2020-02-04

[2]

一种近红外长余辉发光纳米材料及其制备方法与应用 [P].

朱浩淼 ;

林雅玲 .

中国专利 :CN112779004A ,2021-05-11

[3]

一种近红外长余辉材料及其制备方法 [P].

谷亚男 ;

詹宜泽 .

中国专利 :CN107955607A ,2018-04-24

[4]

一种Cr掺杂的纳米近红外长余辉材料及其制备方法 [P].

邱建荣 ;

李杨 ;

李意扬 ;

董国平 .

中国专利 :CN103897696A ,2014-07-02

[5]

近红外长余辉发光材料及其制备方法 [P].

孟建新 ;

黄利娟 .

中国专利 :CN111139075B ,2020-05-12

[6]

一种纳米近红外长余辉发光材料及其制备方法和应用 [P].

王育华 ;

马西麟 ;

周平 ;

张泓喆 ;

谭榕双 ;

何韵涵 .

中国专利 :CN119842398A ,2025-04-18

[7]

一种近红外长余辉发光材料、荧光探针及其制备方法和应用 [P].

王静 ;

刘伯梅 .

中国专利 :CN111892928B ,2020-11-06

[8]

一种在近红外长余辉发光的纳米材料及其制备方法和应用 [P].

朱浩淼 ;

吴录艳 ;

林雅玲 .

中国专利 :CN114250073A ,2022-03-29

[9]

一种近红外长余辉发光材料及其制备方法 [P].

胡义华 ;

刘东 ;

金亚洪 ;

王传龙 .

中国专利 :CN110257069A ,2019-09-20

[10]

一种近红外长余辉发光材料及其制备方法 [P].

康茹 ;

李杨 ;

胡义华 ;

彭国鑫 ;

韦佩玲 .

中国专利 :CN106978172B ,2017-07-25

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