一种雪崩光电探测器及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN202311710797.X
申请日
2023-12-12
公开(公告)号
CN117712215B
公开(公告)日
2024-09-06
发明(设计)人
谢拾玉 谢宗恒 赵雅芝
申请人
上海新微半导体有限公司
申请人地址
200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区飞渡路2020号
IPC主分类号
H01L31/107
IPC分类号
H01L31/0236 H01L31/0224 H01L31/18
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
余明伟
法律状态
授权
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
一种雪崩光电探测器及其制作方法 [P]. 
谢拾玉 ;
谢宗恒 ;
赵雅芝 .
中国专利 :CN117712215A ,2024-03-15
[2]
背入射雪崩光电探测器及其制作方法 [P]. 
谢宗恒 ;
谢拾玉 .
中国专利 :CN119907320A ,2025-04-29
[3]
一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法 [P]. 
王磊 ;
肖希 ;
陈代高 ;
胡晓 ;
张宇光 ;
李淼峰 ;
余少华 .
中国专利 :CN111883608B ,2020-11-03
[4]
一种背入射雪崩光电探测器及其制作方法 [P]. 
谢拾玉 ;
黄健 ;
张舟 .
中国专利 :CN117423767A ,2024-01-19
[5]
硅基雪崩光电探测器阵列及其制作方法 [P]. 
郑婉华 ;
彭红玲 .
中国专利 :CN108573989B ,2018-09-25
[6]
一种光电探测器及其制作方法 [P]. 
张文林 ;
孙建明 .
中国专利 :CN107342347A ,2017-11-10
[7]
一种氮化物紫外雪崩光电探测器及其制作方法 [P]. 
申志辉 ;
刘海军 ;
叶嗣荣 ;
刘奎余 ;
吴畯 ;
姚彬彬 ;
高猛 .
中国专利 :CN113451436A ,2021-09-28
[8]
一种雪崩光电探测器 [P]. 
杨志茂 ;
王斌 .
中国专利 :CN216488097U ,2022-05-10
[9]
Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片及其制作方法 [P]. 
杨彦伟 ;
刘宏亮 ;
邹颜 ;
刘格 .
中国专利 :CN110611011A ,2019-12-24
[10]
一种雪崩光电探测器的制备方法及雪崩光电探测器 [P]. 
黄斌冰 .
中国专利 :CN120981006A ,2025-11-18