相移掩模以及相移掩模的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380017950.2

申请日：

2023-01-30

公开(公告)号：

CN118696273A

公开(公告)日：

2024-09-24

发明(设计)人：

米丸直人黑木恭子小岛洋介

申请人：

凸版光掩模有限公司

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G03F1/32

IPC分类号：

G03F1/29 G03F1/54 G03F1/74 G03F1/80

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

常海涛;金小芳

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G03F 1/32变更事项:申请人变更前:凸版光掩模有限公司变更后:科盛德光掩模株式会社变更事项:国家或地区变更前:日本变更后:日本变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2024-09-24	公开	公开
2024-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/32申请日:20230130

共 50 条

[1]

相移掩模以及相移掩模的制造方法 [P].

黑木恭子 ;

松井一晃 ;

小岛洋介 ;

米丸直人 .

日本专利 :CN118696272A ,2024-09-24

[2]

相移掩模坯料、其制造方法以及相移掩模 [P].

高坂卓郎 .

中国专利 :CN111752086A ,2020-10-09

[3]

相移掩模坯料、相移掩模的制造方法和相移掩模 [P].

三村祥平 ;

松桥直树 ;

高坂卓郎 .

中国专利 :CN114442420A ,2022-05-06

[4]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 ;

宍户博明 .

日本专利 :CN113383271B ,2024-01-30

[5]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 ;

宍户博明 .

中国专利 :CN113383271A ,2021-09-10

[6]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

野泽顺 .

日本专利 :CN113242995B ,2024-07-16

[7]

掩模坯料、相移掩模、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

野泽顺 ;

穐山圭司 .

日本专利 :CN115769144B ,2025-08-05

[8]

相移掩模坯料和相移掩模 [P].

高坂卓郎 .

中国专利 :CN111752087A ,2020-10-09

[9]

相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法 [P].

田边胜 ;

浅川敬司 ;

安森顺一 .

中国专利 :CN114545726A ,2022-05-27

[10]

相移空白掩模及其制造方法 [P].

南基守 ;

姜亘远 ;

金东建 ;

张种沅 ;

崔珉箕 .

中国专利 :CN103376641B ,2013-10-30

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