一种钴锰氧化物印刷电极及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310262084.5

申请日：

2023-03-17

公开(公告)号：

CN118668241A

公开(公告)日：

2024-09-20

发明(设计)人：

李杲张静静郭嵩

申请人：

中国科学院大连化学物理研究所

申请人地址：

116000 辽宁省大连市沙河口区中山路457号

IPC主分类号：

C25B11/091

IPC分类号：

C25B1/04

代理机构：

大连东方专利代理有限责任公司 21212

代理人：

赵淑梅;李馨

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-20	公开	公开
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C25B 11/091申请日:20230317

共 50 条

[1]

一种钴锰氧化物柔性电极及其制备与应用 [P].

蔡欣 ;

王思絮 ;

邹月媛 ;

邝佳琪 .

中国专利 :CN116454301B ,2025-08-26

[2]

一种锰氧化物异相结催化剂及其制备方法与应用 [P].

王平 ;

陈木华 ;

李欣晏 .

中国专利 :CN115318276A ,2022-11-11

[3]

一种异相结锰氧化物催化剂及其制备方法与应用 [P].

王平 ;

李欣晏 .

中国专利 :CN113750988A ,2021-12-07

[4]

一种锰氧化物纳米结构电极材料及其制备方法与应用 [P].

黄洪 ;

孙贤 ;

司徒粤 ;

曹树坤 .

中国专利 :CN111986931B ,2020-11-24

[5]

一种锂镍钴锰氧化物及其制备方法 [P].

杨刚 ;

高坡 .

中国专利 :CN102263238A ,2011-11-30

[6]

一种锰氧化物复合涂层电极的制备方法及其应用 [P].

周玉琳 ;

熊卫江 ;

蒋良兴 ;

陈祥嘉 ;

艾涛 ;

余可 ;

陈匡义 .

中国专利 :CN114561642B ,2025-05-02

[7]

一种锰氧化物复合涂层电极的制备方法及其应用 [P].

周玉琳 ;

熊卫江 ;

蒋良兴 ;

陈祥嘉 ;

艾涛 ;

余可 ;

陈匡义 .

中国专利 :CN114561642A ,2022-05-31

[8]

一种钴锰氧化物纳米粒子及其制备方法和应用 [P].

黄小娟 ;

郑重阳 ;

许弘弢 ;

程翰 ;

张志愿 ;

袁瑛 .

中国专利 :CN119929897A ,2025-05-06

[9]

一种新型钴锰氧化物纳米片的制备方法及其应用 [P].

何加钦 ;

汤华国 ;

李思蒙 ;

汤占先 ;

汪圣博 ;

王雅静 ;

黄永兰 ;

黄德奇 .

中国专利 :CN119702000A ,2025-03-28

[10]

一种锂钴锰氧化物靶材及其制备方法 [P].

吴隽 ;

付豪 ;

王凯丰 ;

黄成彬 ;

张绍奇 .

中国专利 :CN113387683A ,2021-09-14

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