一种高介电常数和低介电损耗的聚合物复合薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111061524.8

申请日：

2021-09-10

公开(公告)号：

CN113881079B

公开(公告)日：

2024-08-06

发明(设计)人：

翁凌于亚廷徐航王小明关丽珠

申请人：

哈尔滨理工大学

申请人地址：

150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

IPC主分类号：

C08J5/18

IPC分类号：

C08L27/16 C08L79/04 C08K9/10 C08K3/04 H01G4/18 G11C11/34

代理机构：

哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211

代理人：

刘景祥

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高介电常数和低介电损耗的聚合物复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

翁凌 ;

于亚廷 ;

徐航 ;

王小明 ;

关丽珠 .

中国专利 :CN113881079A ,2022-01-04

[2]

一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

翁凌 ;

李雪 ;

王小明 .

中国专利 :CN113861596A ,2021-12-31

[3]

具有高介电常数和低介电损耗的聚合物组合物 [P].

焦云峰 .

中国专利 :CN113614163A ,2021-11-05

[4]

具有高介电常数和低介电损耗的聚合物组合物 [P].

焦云峰 .

中国专利 :CN111320868A ,2020-06-23

[5]

具有低介电常数低介电损耗的聚合物基复合材料及其制备方法和应用 [P].

张凯 ;

沈赢洲 ;

刘磊 ;

尹波 ;

杨伟 ;

杨鸣波 .

中国专利 :CN117820776A ,2024-04-05

[6]

一种高介电常数、低介电损耗复合薄膜的制备方法 [P].

牛文静 .

中国专利 :CN115368605A ,2022-11-22

[7]

具有高介电常数低介电损耗聚合物复合材料及其制备方法 [P].

傅强 ;

韩迪 ;

邓伊依 ;

周岱林 .

中国专利 :CN111187461A ,2020-05-22

[8]

一种低介电常数和介电损耗的聚合物基复合材料 [P].

于淑会 ;

李腾宇 ;

罗遂斌 ;

孙蓉 .

中国专利 :CN117362725A ,2024-01-09

[9]

一种低介电常数和低介电损耗的液晶聚合物膜材制备方法 [P].

陈怡方 ;

陈晓燕 .

中国专利 :CN112172210B ,2021-01-05

[10]

一种具有高介电常数和低介电损耗的柔性复合介电材料 [P].

马育红 ;

张先宏 ;

杨万泰 .

中国专利 :CN103408876A ,2013-11-27

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