一种GaN器件结温测量电路及测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210225486.3

申请日：

2022-03-07

公开(公告)号：

CN114720837B

公开(公告)日：

2024-09-10

发明(设计)人：

王凯宏鲁金科邾玢鑫赵浩朱一荻

申请人：

三峡大学

申请人地址：

443002 湖北省宜昌市西陵区大学路8号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

吴思高

法律状态：

授权

国省代码：

湖北省宜昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-10	授权	授权
2024-05-24	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):G01R 31/26变更事项:发明人变更前:王凯宏朱一荻邾玢鑫赵浩鲁金科变更后:王凯宏鲁金科邾玢鑫赵浩朱一荻
2025-01-17	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效IPC(主分类):G01R 31/26合同备案号:X2024980040990让与人:三峡大学受让人:宜昌群像科技有限公司发明名称:一种GaN器件结温测量电路及测量方法申请日:20220307申请公布日:20220708授权公告日:20240910许可种类:普通许可备案日期:20241228

共 50 条

[1]

一种GaN器件结温测量电路及测量方法 [P].

王凯宏 ;

朱一荻 ;

邾玢鑫 ;

赵浩 ;

鲁金科 .

中国专利 :CN114720837A ,2022-07-08

[2]

IGBT在线结温测量电路及其测量方法 [P].

胡裕松 ;

成庶 ;

向超群 ;

伍珣 ;

姚军 .

中国专利 :CN114217201A ,2022-03-22

[3]

功率器件通态电阻测量电路及结温测量方法、系统 [P].

徐千鸣 ;

刘蕊 ;

唐成 ;

郭鹏 ;

张立鑫 ;

邹周 ;

王子航 ;

杨钰 ;

汪洪亮 ;

罗安 .

中国专利 :CN115508684B ,2025-09-09

[4]

功率器件通态电阻测量电路及结温测量方法、系统 [P].

徐千鸣 ;

刘蕊 ;

唐成 ;

郭鹏 ;

张立鑫 ;

邹周 ;

王子航 ;

杨钰 ;

汪洪亮 ;

罗安 .

中国专利 :CN115508684A ,2022-12-23

[5]

一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、设备和介质 [P].

王涛 ;

廖红伟 ;

何宜祥 ;

李康 ;

郭长春 ;

刘宾 .

中国专利 :CN113933676A ,2022-01-14

[6]

一种SiC MOSFET器件结温的测量方法、装置、设备和介质 [P].

王涛 ;

廖红伟 ;

何宜祥 ;

李康 ;

郭长春 ;

刘宾 .

中国专利 :CN113933676B ,2024-09-20

[7]

一种半导体发光器件结温的测量方法 [P].

云峰 ;

赵宇坤 .

中国专利 :CN104807555A ,2015-07-29

[8]

测量电路及测量方法 [P].

朱伟民 ;

蒋铮 ;

沈华 .

中国专利 :CN114895175A ,2022-08-12

[9]

一种测量方法及测量电路 [P].

王允铄 ;

李文学 ;

杨英振 ;

乔进军 .

中国专利 :CN112697174B ,2021-04-23

[10]

一种功率半导体的结温测量方法 [P].

郝建勇 ;

张苗苗 ;

王悦 .

中国专利 :CN118655440B ,2024-12-17

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