一种深蓝光准二维钙钛矿发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111599454.1

申请日：

2021-12-24

公开(公告)号：

CN114400294B

公开(公告)日：

2024-08-02

发明(设计)人：

陈江山庞培元马东阁

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H10K71/12

IPC分类号：

H10K50/11 H10K85/50

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

郭炜绵

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管 [P].

王坚 ;

张斌斌 ;

麦超晃 ;

李妙姿 ;

李海华 .

中国专利 :CN113130802A ,2021-07-16

[2]

一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法 [P].

马东阁 ;

陈江山 ;

庞培元 ;

杨德志 ;

乔现锋 .

中国专利 :CN111430559B ,2020-07-17

[3]

一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法及红光钙钛矿发光二极管 [P].

王建浦 ;

伊昌 ;

张国林 .

中国专利 :CN119061459A ,2024-12-03

[4]

蓝光钙钛矿膜及蓝光钙钛矿发光二极管 [P].

廖良生 ;

金严 ;

王照奎 .

中国专利 :CN111048690B ,2020-04-21

[5]

双阳离子结构红光准二维钙钛矿发光二极管 [P].

康博南 ;

庞裕 ;

张子召 .

中国专利 :CN112038495A ,2020-12-04

[6]

准二维钙钛矿薄膜及其制备方法、发光二极管 [P].

朱菲 ;

陈琪 .

中国专利 :CN118785796A ,2024-10-15

[7]

钙钛矿发光二极管 [P].

禹汉永 ;

张起晳 ;

宋明勋 ;

文晶玟 ;

崔秀石 ;

T·L·阮 ;

李承珍 ;

张充铉 .

中国专利 :CN113169275A ,2021-07-23

[8]

一种提高钙钛矿发光二极管亮度的方法及钙钛矿发光二极管 [P].

王建浦 ;

伊昌 ;

江涛 ;

李仁志 .

中国专利 :CN114497426B ,2024-07-23

[9]

一种提高钙钛矿发光二极管亮度的方法及钙钛矿发光二极管 [P].

王建浦 ;

伊昌 ;

江涛 ;

李仁志 .

中国专利 :CN114497426A ,2022-05-13

[10]

蓝光钙钛矿薄膜及其制备方法、蓝光钙钛矿发光二极管 [P].

崔林松 ;

安芮芝 .

中国专利 :CN117946673A ,2024-04-30

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