MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410763822.9

申请日：

2024-06-14

公开(公告)号：

CN118350344B

公开(公告)日：

2024-09-03

发明(设计)人：

田润柳龙九

申请人：

杭州积海半导体有限公司

申请人地址：

310020 浙江省杭州市钱塘新区义蓬街道江东大道3899号709-7号

IPC主分类号：

G06F30/398

IPC分类号：

代理机构：

上海汉之律师事务所 31378

代理人：

吴向青

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-03	授权	授权
2024-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/398申请日:20240614
2024-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质 [P].

田润 ;

柳龙九 .

中国专利 :CN118350344A ,2024-07-16

[2]

模型建立方法、装置、设备及存储介质 [P].

池永为 ;

白彧 .

中国专利 :CN118627317A ,2024-09-10

[3]

模型建立方法、装置、设备及存储介质 [P].

池永为 ;

白彧 .

中国专利 :CN118627317B ,2025-01-21

[4]

船舶船体模型建立方法、系统、设备及存储介质 [P].

李海波 ;

蔡乾亚 ;

朱明华 ;

王尧 ;

朴香美 ;

孙浩月 .

中国专利 :CN118171386A ,2024-06-11

[5]

肿瘤运动模型建立方法、设备及存储介质 [P].

李丹宇 ;

刘达林 ;

王中亚 .

中国专利 :CN120037600A ,2025-05-27

[6]

碳排量分摊模型建立方法、系统、设备及存储介质 [P].

王华 .

中国专利 :CN119204859A ,2024-12-27

[7]

模型建立方法、装置、电子设备及存储介质 [P].

郝灿 ;

彭沛然 ;

王颖 ;

高超 ;

董登峰 ;

王博 ;

刘彤 ;

周维虎 ;

袁江 .

中国专利 :CN111915593B ,2025-04-25

[8]

寿命评估模型建立方法、装置、设备及存储介质 [P].

郑佳欣 ;

谢斌 ;

许盛 ;

李岩 ;

余庭 ;

吴成磊 ;

凌慢慢 .

中国专利 :CN119808558A ,2025-04-11

[9]

水下建筑模型建立方法、装置、设备及存储介质 [P].

李永龙 ;

陈永灿 ;

张华 ;

王皓冉 .

中国专利 :CN110737942A ,2020-01-31

[10]

光刻模型建立方法、设备、存储介质及程序产品 [P].

江畅 ;

王航宇 .

中国专利 :CN119514357A ,2025-02-25

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