太赫兹吸收器的结构单元、吸收器及调控方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310065649.0

申请日：

2023-01-13

公开(公告)号：

CN118352796A

公开(公告)日：

2024-07-16

发明(设计)人：

宋国峰庄凌云张雯婧晁明豪刘青松

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01Q17/00

IPC分类号：

H01Q15/00 G02F1/01

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

太赫兹吸收器 [P].

王洁娉 ;

李玉涟 ;

龙文潇 ;

秦顶顶 ;

陈秋龙 ;

余登美 .

中国专利 :CN117832877A ,2024-04-05

[2]

可调双频太赫兹吸收器 [P].

李九生 ;

陈旭生 ;

李达 .

中国专利 :CN110289500A ,2019-09-27

[3]

多层结构的可调双宽带太赫兹吸收器 [P].

崔真 ;

柳南 ;

张毅泽 ;

张佳豪 ;

张爽 ;

王璐 .

中国专利 :CN118315827A ,2024-07-09

[4]

基于石墨烯的双频太赫兹吸收器 [P].

赵泽江 .

中国专利 :CN207587977U ,2018-07-06

[5]

多层结构的可调多频窄带太赫兹吸收器 [P].

崔真 ;

朱泳霖 ;

柳南 ;

张毅泽 ;

张佳豪 ;

张爽 ;

王璐 .

中国专利 :CN118448883A ,2024-08-06

[6]

太赫兹宽频带吸收器 [P].

赵泽江 .

中国专利 :CN207368237U ,2018-05-15

[7]

基于超材料太赫兹吸收器 [P].

赵泽江 .

中国专利 :CN207587978U ,2018-07-06

[8]

双开口环太赫兹可调吸收器 [P].

李绍和 ;

李九生 .

中国专利 :CN108963468A ,2018-12-07

[9]

基于交叉结构的新型太赫兹吸收器 [P].

史叶欣 .

中国专利 :CN207752171U ,2018-08-21

[10]

双频石墨烯可调太赫兹吸收器 [P].

李九生 ;

严德贤 .

中国专利 :CN109037962A ,2018-12-18

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