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多晶硅的刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110011318.X
申请日：
2021-01-06
公开(公告)号：
CN112820640B
公开(公告)日：
2024-06-14
发明(设计)人：
向磊
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址：
上海市浦东新区新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L21/28
IPC分类号：
H01L21/3213
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
焦健
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
无锡市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-06-14 | 授权 | 授权 |