正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410941554.5
申请日
2024-07-15
公开(公告)号
CN118572099A
公开(公告)日
2024-08-30
发明(设计)人
范浩东 朱亚亭 李平宽 智晋峰 李春红
申请人
天津巴莫科技有限责任公司 浙江巴莫科技有限责任公司
申请人地址
300384 天津市滨海新区新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰大道8号
IPC主分类号
H01M4/505
IPC分类号
H01M4/525 H01M10/052 H01M10/0525 C01G53/00
代理机构
北京华进京联知识产权代理有限公司 11606
代理人
鲍胜如
法律状态
公开
国省代码
天津市 市辖区
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共 50 条
[1]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
黄鹤平 ;
张海天 ;
吕菲 ;
徐宁 .
中国专利 :CN118919697A ,2024-11-08
[2]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
曹萌 ;
付佳莉 ;
吉长印 ;
吕菲 ;
徐宁 .
中国专利 :CN118553904A ,2024-08-27
[3]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
翟建勇 ;
卢吉玲 ;
卢建 ;
王颖杰 ;
王欣全 .
中国专利 :CN119108540A ,2024-12-10
[4]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
陈志宇 ;
吉长印 ;
吕菲 ;
徐宁 .
中国专利 :CN118173744A ,2024-06-11
[5]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
卫彦宏 ;
于利梅 ;
吕菲 .
中国专利 :CN119230757A ,2024-12-31
[6]
正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池 [P]. 
姜颖 ;
万远鑫 ;
刘厅 ;
冯泽 ;
孙言 .
中国专利 :CN118299540A ,2024-07-05
[7]
正极材料及其制备方法、正极极片、二次电池和用电装置 [P]. 
陈鹏辉 ;
吉长印 ;
吕菲 ;
徐宁 .
中国专利 :CN118841551A ,2024-10-25
[8]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
王勤 ;
江雪林 ;
刘海堰 ;
吕飞 ;
王伟 .
中国专利 :CN120864466A ,2025-10-31
[9]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
陈心怡 ;
万远鑫 ;
孔令涌 ;
张莉 ;
裴现一男 ;
谭旗清 .
中国专利 :CN115939362B ,2025-07-18
[10]
正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池 [P]. 
谭旗清 ;
万远鑫 ;
孔令涌 ;
赖佳宇 ;
张莉 ;
裴现一男 ;
戴浩文 ;
骆文森 .
中国专利 :CN116404161B ,2025-12-19