场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810476793.2

申请日：

2018-05-18

公开(公告)号：

CN108761284B

公开(公告)日：

2024-07-05

发明(设计)人：

王俊美宋利鹏郝瑞庭刘惠鹏

申请人：

北京华峰测控技术股份有限公司

申请人地址：

100070 北京市丰台区科学城海鹰路1号院2号楼7层

IPC主分类号：

G01R31/12

IPC分类号：

G01R31/52 G01R31/26 G01R19/25

代理机构：

北京国林贸知识产权代理有限公司 11001

代理人：

李桂玲;杜国庆

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-05	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法 [P].

王俊美 ;

宋利鹏 ;

郝瑞庭 ;

刘惠鹏 .

中国专利 :CN108761284A ,2018-11-06

[2]

一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路 [P].

王俊美 ;

宋利鹏 ;

郝瑞庭 ;

刘惠鹏 .

中国专利 :CN208334553U ,2019-01-04

[3]

场效应管测试电路 [P].

郝瑞庭 ;

王俊美 ;

刘惠鹏 .

中国专利 :CN207037014U ,2018-02-23

[4]

场效应管测试电路及测试方法 [P].

郝瑞庭 ;

王俊美 ;

刘惠鹏 .

中国专利 :CN107345996A ,2017-11-14

[5]

场效应管电容‑电压特性测试电路的串联电阻测定方法 [P].

刘斯扬 ;

张艺 ;

魏家行 ;

张春伟 ;

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN104698279B ,2015-06-10

[6]

场效应管的测试方法 [P].

葛伟坡 ;

潘建峰 ;

章志强 ;

刘春胜 ;

王丽高 .

中国专利 :CN113740691A ,2021-12-03

[7]

提高功率MOS场效应管击穿电压的方法 [P].

吴小利 ;

许丹 .

中国专利 :CN101707183B ,2010-05-12

[8]

场效应管特性测试板 [P].

罗岳强 ;

梁智耀 .

中国专利 :CN216117882U ,2022-03-22

[9]

场效应管的低电压驱动电路 [P].

齐本胜 ;

肖峰 ;

苗红霞 ;

翟潘飞 .

中国专利 :CN202059391U ,2011-11-30

[10]

一种场效应管的漏源电流验证电路 [P].

巨小龙 ;

乔志园 .

中国专利 :CN223139762U ,2025-07-22

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