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多結晶SiC成形体及びその製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20220175628
申请日
:
2022-11-01
公开(公告)号
:
JP2024066211A
公开(公告)日
:
2024-05-15
发明(设计)人
:
OISHI SHOHEI
FUKUDA SEI
ISHIZUKA ASUMI
IKEDA SHUTO
YASHIKIDA REIKO
申请人
:
TOKAI CARBON CO LTD
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C16/42
IPC分类号
:
C01B32/977
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
成形体、及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5824600B1
,2015-11-25
[2]
成形体、及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015151515A1
,2017-04-13
[3]
SiC単結晶の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015072136A1
,2017-03-16
[4]
SiC結晶成長用SiC原料の製造方法及び製造装置[ja]
[P].
日本专利
:JP2019535632A
,2019-12-12
[5]
樹脂成形体及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6746150B1
,2020-08-26
[6]
成形体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018155179A1
,2020-01-16
[7]
成形体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022079995A
,2022-05-27
[8]
成形体および成形体の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2017094851A1
,2018-09-20
[9]
射出成形体およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2023001163A
,2023-01-04
[10]
SiC単結晶ウエハーとその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2011024931A1
,2013-01-31
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