膜形成用組成物及び半導体基板の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20220092076

申请日：

2022-06-07

公开(公告)号：

JP2023179038A

公开(公告)日：

2023-12-19

发明(设计)人：

HAYASHI YUYA YAMADA SHUHEI YONEDA EIJI

申请人：

JSR CORP

申请人地址：

IPC主分类号：

C07D487/04

IPC分类号：

H01L21/266 C08G8/00 C08G8/28 H01L21/265

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共 50 条

[1]

半導体基板の製造方法及び半導体基板製造用組成物[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020171054A1 ,2021-12-16

[2]

半導体基板洗浄用膜形成組成物及び半導体基板の洗浄方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017056746A1 ,2018-07-19

[3]

金属含有膜形成用組成物、金属含有膜形成用組成物の製造方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017200107A1 ,2019-02-14

[4]

有機半導体膜形成用組成物、及び有機半導体膜の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016039216A1 ,2017-04-27

[5]

半導体用膜組成物、半導体用膜組成物の製造方法、半導体用部材の製造方法、半導体用工程材の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017086360A1 ,2018-04-05

[6]

半導体用膜組成物、半導体用膜組成物の製造方法、半導体用部材の製造方法、半導体用工程材の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2017086361A1 ,2018-05-24

[7]

有機半導体膜形成用の組成物、有機半導体膜、及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2016024485A1 ,2017-06-01

[8]

研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法、研磨方法、半導体基板の製造方法[ja] [P].

MAE RYOTA .

日本专利 :JP2024048924A ,2024-04-09

[9]

有機半導体膜形成用組成物、有機半導体膜及びその製造方法、並びに、有機半導体素子[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018061821A1 ,2019-03-22

[10]

半導体製造用組成物[ja] [P].

OKADA TAKUMI ;

HOSHINO RYOSUKE ;

SATO HIDEYUKI ;

KATAGIRI MASAYUKI ;

ECHIGO MASATOSHI .

日本专利 :JP2024112547A ,2024-08-21

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