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双极晶体管
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410470176.7
申请日
:
2024-04-18
公开(公告)号
:
CN118824951A
公开(公告)日
:
2024-10-22
发明(设计)人
:
P·舍瓦利耶
N·古塔尔德
申请人
:
意法半导体国际公司
申请人地址
:
瑞士日内瓦
IPC主分类号
:
H01L21/8222
IPC分类号
:
H01L21/8249
H01L23/48
H01L21/768
H01L27/082
H01L27/06
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
成城
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-08
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8222申请日:20240418
2024-10-22
公开
公开
共 50 条
[1]
双极晶体管
[P].
A·高蒂尔
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A·高蒂尔
;
P·舍瓦利耶
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P·舍瓦利耶
.
中国专利
:CN210723039U
,2020-06-09
[2]
双极晶体管
[P].
高桥新之助
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高桥新之助
.
中国专利
:CN111384161A
,2020-07-07
[3]
双极晶体管
[P].
托尼·范胡克
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托尼·范胡克
;
维特·桑迪·恩
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维特·桑迪·恩
;
皮特鲁斯·H·C·马涅
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皮特鲁斯·H·C·马涅
;
蓬奇·伊沃
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蓬奇·伊沃
;
迪克·克拉森
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迪克·克拉森
;
马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂
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马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂
.
中国专利
:CN105428402A
,2016-03-23
[4]
双极晶体管
[P].
A·高蒂尔
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机构:
意法半导体有限公司
意法半导体有限公司
A·高蒂尔
;
P·舍瓦利耶
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机构:
意法半导体有限公司
意法半导体有限公司
P·舍瓦利耶
.
法国专利
:CN111009574B
,2024-01-30
[5]
双极晶体管
[P].
U·S·拉古纳坦
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
U·S·拉古纳坦
;
S·M·尚克
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·M·尚克
;
S·A·麦塔格特
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格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
S·A·麦塔格特
;
M·E·莱顿-努弗
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
M·E·莱顿-努弗
;
C·E·卢斯
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格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
C·E·卢斯
;
R·哈兹布恩
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格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
R·哈兹布恩
;
A·M·德里克森
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机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
A·M·德里克森
.
美国专利
:CN120786914A
,2025-10-14
[6]
双极晶体管
[P].
A·高蒂尔
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A·高蒂尔
;
P·舍瓦利耶
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P·舍瓦利耶
.
中国专利
:CN111009572A
,2020-04-14
[7]
双极晶体管
[P].
约瑟夫·伯克
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约瑟夫·伯克
;
托马斯·迈斯特
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托马斯·迈斯特
;
赖因哈德·施滕格尔
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赖因哈德·施滕格尔
;
希尔伯特·舍费尔
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希尔伯特·舍费尔
.
中国专利
:CN100472802C
,2006-05-10
[8]
双极晶体管
[P].
A·高蒂尔
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机构:
意法半导体有限公司
意法半导体有限公司
A·高蒂尔
;
P·舍瓦利耶
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机构:
意法半导体有限公司
意法半导体有限公司
P·舍瓦利耶
.
法国专利
:CN117912945A
,2024-04-19
[9]
双极晶体管
[P].
安藤裕二
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安藤裕二
;
宫本广信
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宫本广信
;
中山达峰
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中山达峰
;
冈本康宏
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冈本康宏
;
井上隆
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井上隆
;
大田一树
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大田一树
.
中国专利
:CN102246284A
,2011-11-16
[10]
双极晶体管
[P].
A·高蒂尔
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A·高蒂尔
;
P·舍瓦利耶
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P·舍瓦利耶
.
中国专利
:CN210723037U
,2020-06-09
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