一种氧化铟基气敏材料及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411006097.7
申请日
2024-07-25
公开(公告)号
CN119086655A
公开(公告)日
2024-12-06
发明(设计)人
熊友辉 杨宇 张勇强
申请人
四方光电股份有限公司
申请人地址
430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区凤凰产业园凤凰园三路3号
IPC主分类号
G01N27/12
IPC分类号
C01G15/00 C01F7/306 C01F7/308 B82Y40/00 B82Y30/00 B82Y15/00 C08G73/02
代理机构
北京维正专利代理有限公司 11508
代理人
曾莉
法律状态
公开
国省代码
湖北省 武汉市
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共 50 条
[1]
一种氧化铟一氧化碳气敏材料及制备方法和应用 [P]. 
杨宏平 .
中国专利 :CN119528207A ,2025-02-28
[2]
一种铁掺杂多孔氧化铟气敏材料及其制备方法与应用 [P]. 
刘久荣 ;
刘伟 ;
杜文静 ;
吴莉莉 ;
王凤龙 ;
汪宙 ;
王琦 .
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[3]
用于ppb级乙醇检测的氧化铟气敏材料及制备方法和应用 [P]. 
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[4]
锌掺杂氧化铟纳米气敏材料及其制备方法 [P]. 
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[5]
一种MOS基气敏材料及其制备方法和应用 [P]. 
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[6]
一种丙酮气敏材料及其制备方法和应用 [P]. 
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[7]
一种纳米双晶相氧化铟气敏材料及其制备方法与应用 [P]. 
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[8]
一种纳米棒状氧化铟气敏材料的制备方法 [P]. 
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[9]
一种气敏材料及其制备方法和应用 [P]. 
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[10]
一种气敏材料及其制备方法和应用 [P]. 
王飞鹏 ;
胡克林 ;
刘洪呈 ;
杨力 ;
李剑 ;
王有元 ;
陈伟根 ;
杜林 ;
万春香 ;
何渝霜 ;
王开正 ;
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中国专利 :CN110346421A ,2019-10-18