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一种硅碳负极材料及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411210340.7
申请日：
2024-08-30
公开(公告)号：
CN119092677A
公开(公告)日：
2024-12-06
发明(设计)人：
康少冉 陶刚义 毕明锋 闫鹏 陈斌 黄初 杨林涛 黎鹏 刘月颖 刘世民 曾强
申请人：
内蒙古兴洋科技股份有限公司
申请人地址：
010400 内蒙古自治区鄂尔多斯市准格尔旗沙圪堵镇工业园区伊东大道北
IPC主分类号：
H01M4/36
IPC分类号：
H01M4/04 H01M4/38 H01M10/0525 B82Y40/00 H01M4/62 C23C16/24 C23C16/455 C23C16/46 C23C16/26 C23C16/442
代理机构：
北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465
代理人：
周亮
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
内蒙古自治区 鄂尔多斯市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20240830
2024-12-06 公开 公开
共 50 条
[1]
一种硅碳复合材料、硅碳负极材料及其制备方法、电池 [P]. 
厉凯文 ;
廖群超 ;
江宏富 ;
蒋成成 ;
赖泽统 ;
李亚楠 .
中国专利 :CN119890256A ,2025-04-25
[2]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
姜福阳 ;
万文文 ;
王辉 ;
张辰 .
中国专利 :CN119275257A ,2025-01-07
[3]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
姜福阳 ;
万文文 ;
王辉 ;
张辰 .
中国专利 :CN119275257B ,2025-10-31
[4]
一种硅碳负极材料及其制备方法 [P]. 
杨亚宏 ;
张大鹏 ;
王文松 .
中国专利 :CN120978054A ,2025-11-18
[5]
一种高压实密度硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
郭玉国 ;
徐泉 ;
孔一鸣 ;
李金熠 ;
殷雅侠 .
中国专利 :CN105932245B ,2016-09-07
[6]
一种多级缓冲结构硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
陈旭 ;
曲宗凯 ;
杨文胜 .
中国专利 :CN110474025A ,2019-11-19
[7]
一种硅-碳交替多层级结构的硅碳复合材料及其制备方法和应用 [P]. 
李胜 ;
毛苗苗 ;
赖桂棠 ;
方斌 ;
黄世强 ;
刘罗 ;
王港 ;
曹恩德 .
中国专利 :CN118929633A ,2024-11-12
[8]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
冯佳 .
中国专利 :CN115966684B ,2025-08-19
[9]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
梁坤 ;
施丹誉 ;
余陶 ;
陈鑫悦 .
中国专利 :CN120878827A ,2025-10-31
[10]
一种硅碳负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
张丝雨 ;
董文芊 ;
高焕新 ;
孙赛 ;
张同宝 .
中国专利 :CN115377405A ,2022-11-22
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