高密度电阻性随机存取存储器（RRAM）

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411175486.2

申请日：

2015-12-30

公开(公告)号：

CN119072134A

公开(公告)日：

2024-12-03

发明(设计)人：

柳青 J·H·张

申请人：

意法半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

H10B63/00

IPC分类号：

H10N70/20 H10N70/00

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

成城

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/00申请日:20151230
2024-12-03	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度电阻性随机存取存储器（RRAM） [P].

柳青 ;

J·H·张 .

中国专利 :CN110600499A ,2019-12-20

[2]

高密度电阻性随机存取存储器（RRAM） [P].

柳青 ;

J·H·张 .

美国专利 :CN110600499B ,2024-09-20

[3]

高密度电阻性随机存取存储器（RRAM） [P].

柳青 ;

J·H·张 .

中国专利 :CN106058044A ,2016-10-26

[4]

高密度的相随机存取存储器 [P].

吴泂录 ;

赵栢衡 ;

金杜应 ;

赵佑荣 .

中国专利 :CN100474448C ,2005-02-02

[5]

高密度静态随机存取存储器 [P].

B·安德森 ;

谢瑞龙 ;

朱文熙 ;

C·拉登斯 .

美国专利 :CN120266590A ,2025-07-04

[6]

电阻随机存取存储器器件 [P].

谢君毅 ;

徐薇惠 ;

易万兵 ;

蒋懿 ;

康锴 ;

陈元文 .

:CN113675335B ,2024-10-29

[7]

电阻式随机存取存储器单元 [P].

季明华 ;

林殷茵 .

中国专利 :CN102201429A ,2011-09-28

[8]

电阻随机存取存储器器件 [P].

黎佳俊 ;

卓荣发 ;

陈学深 .

中国专利 :CN114079004A ,2022-02-22

[9]

电阻式随机存取存储器 [P].

陈达 ;

王炳琨 ;

廖绍憬 .

中国专利 :CN106206940B ,2016-12-07

[10]

电阻随机存取存储器器件 [P].

谢君毅 ;

徐薇惠 ;

易万兵 ;

蒋懿 ;

康锴 ;

陈元文 .

中国专利 :CN113675335A ,2021-11-19

← 1 2 3 4 5 →