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一种IGBT的极限电压测试系统及方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411163185.8
申请日
:
2024-08-23
公开(公告)号
:
CN118688601B
公开(公告)日
:
2024-11-19
发明(设计)人
:
胡傲雪
蒋兴莉
孟繁新
封明辉
黄庆波
赵伟
何家霖
唐志尧
岳兰
申请人
:
成都高投芯未半导体有限公司
申请人地址
:
610000 四川省成都市高新区(西区)天勤东街58号4栋3层1号
IPC主分类号
:
G01R31/26
IPC分类号
:
G01R31/12
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
冯倩
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-19
授权
授权
2024-09-24
公开
公开
2024-10-15
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20240823
共 50 条
[1]
一种IGBT的极限电压测试系统及方法
[P].
胡傲雪
论文数:
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机构:
成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
胡傲雪
;
蒋兴莉
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
蒋兴莉
;
孟繁新
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
孟繁新
;
封明辉
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
封明辉
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黄庆波
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
黄庆波
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赵伟
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
赵伟
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何家霖
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
何家霖
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唐志尧
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成都高投芯未半导体有限公司
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唐志尧
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岳兰
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
岳兰
.
中国专利
:CN118688601A
,2024-09-24
[2]
一种IGBT耐压测试系统及方法
[P].
胡傲雪
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
胡傲雪
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孟繁新
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成都高投芯未半导体有限公司
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封明辉
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成都高投芯未半导体有限公司
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封明辉
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黄庆波
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成都高投芯未半导体有限公司
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黄庆波
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赵伟
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成都高投芯未半导体有限公司
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何家霖
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成都高投芯未半导体有限公司
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唐志尧
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成都高投芯未半导体有限公司
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岳兰
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成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
岳兰
.
中国专利
:CN118671545B
,2024-11-19
[3]
一种IGBT耐压测试系统及方法
[P].
胡傲雪
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成都高投芯未半导体有限公司
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孟繁新
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成都高投芯未半导体有限公司
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封明辉
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成都高投芯未半导体有限公司
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黄庆波
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成都高投芯未半导体有限公司
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黄庆波
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成都高投芯未半导体有限公司
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何家霖
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成都高投芯未半导体有限公司
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唐志尧
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成都高投芯未半导体有限公司
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唐志尧
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岳兰
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成都高投芯未半导体有限公司
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岳兰
.
中国专利
:CN118671545A
,2024-09-20
[4]
电压极限测试系统
[P].
徐文超
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徐文超
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杨令华
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杨令华
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吴帅
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颜潇
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杨明政
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杨明政
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刘国瑞
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刘国瑞
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周中华
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周中华
.
中国专利
:CN102608525B
,2012-07-25
[5]
一种变压器生产通电测试极限电压实验结构
[P].
李先辉
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机构:
苏州固钜电子科技有限公司
苏州固钜电子科技有限公司
李先辉
.
中国专利
:CN119738624A
,2025-04-01
[6]
一种IGBT芯片的PN结击穿电压测试系统及方法
[P].
李为民
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李为民
.
中国专利
:CN108627744A
,2018-10-09
[7]
IGBT器件的测试方法、测试装置及测试系统
[P].
胡傲雪
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成都高投芯未半导体有限公司
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胡傲雪
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成都高投芯未半导体有限公司
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封明辉
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黄庆波
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黄庆波
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赵伟
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机构:
成都高投芯未半导体有限公司
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岳兰
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机构:
成都高投芯未半导体有限公司
成都高投芯未半导体有限公司
岳兰
.
中国专利
:CN118444118A
,2024-08-06
[8]
一种电解电容耐极限电压性能测试装置
[P].
颜翰菁
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颜翰菁
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詹光耀
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詹光耀
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周加兵
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周加兵
.
中国专利
:CN217404449U
,2022-09-09
[9]
一种离合器极限电压读取的算法
[P].
姚君
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姚君
.
中国专利
:CN110319127A
,2019-10-11
[10]
一种刹车模拟量极限电压读取系统及其方法
[P].
蔡勋杨
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蔡勋杨
.
中国专利
:CN109917178A
,2019-06-21
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