一种IGBT的极限电压测试系统及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411163185.8
申请日
2024-08-23
公开(公告)号
CN118688601B
公开(公告)日
2024-11-19
发明(设计)人
胡傲雪 蒋兴莉 孟繁新 封明辉 黄庆波 赵伟 何家霖 唐志尧 岳兰
申请人
成都高投芯未半导体有限公司
申请人地址
610000 四川省成都市高新区(西区)天勤东街58号4栋3层1号
IPC主分类号
G01R31/26
IPC分类号
G01R31/12
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
冯倩
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种IGBT的极限电压测试系统及方法 [P]. 
胡傲雪 ;
蒋兴莉 ;
孟繁新 ;
封明辉 ;
黄庆波 ;
赵伟 ;
何家霖 ;
唐志尧 ;
岳兰 .
中国专利 :CN118688601A ,2024-09-24
[2]
一种IGBT耐压测试系统及方法 [P]. 
胡傲雪 ;
孟繁新 ;
封明辉 ;
黄庆波 ;
赵伟 ;
何家霖 ;
唐志尧 ;
岳兰 .
中国专利 :CN118671545B ,2024-11-19
[3]
一种IGBT耐压测试系统及方法 [P]. 
胡傲雪 ;
孟繁新 ;
封明辉 ;
黄庆波 ;
赵伟 ;
何家霖 ;
唐志尧 ;
岳兰 .
中国专利 :CN118671545A ,2024-09-20
[4]
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杨令华 ;
吴帅 ;
李文强 ;
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杨明政 ;
刘国瑞 ;
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[7]
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胡傲雪 ;
胡强 ;
孟繁新 ;
封明辉 ;
黄庆波 ;
赵伟 ;
何家霖 ;
岳兰 .
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[8]
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