学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

表皮深さ損失を軽減する高抵抗および低抵抗導体層のための方法およびデバイス[ja]

被引：0
申请号：
JP20230560553
申请日：
2022-03-30
公开(公告)号：
JP2024519440A
公开(公告)日：
2024-05-14
发明(设计)人：
申请人：
申请人地址：
IPC主分类号：
H05K1/09
IPC分类号：
B32B7/025 H05K1/03 H05K3/00 H05K3/18
代理机构：
代理人：
法律状态：
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体デバイスを製作するための方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2018506174A ,2018-03-01
[2]
炭素空孔の濃度が低減された半導体デバイスおよび半導体デバイスを製造するための方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2024520079A ,2024-05-21
[3]
半導体デバイスを製造する方法およびその半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022550015A ,2022-11-30
[4]
接触抵抗が低減された半導体デバイスの作製方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2022515080A ,2022-02-17
[5]
半導体デバイスの抵抗を低減するためのライナー及びバリア膜の選択的堆積[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025526033A ,2025-08-07
[6]
半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
NGUYEN SON VAN ;
YAMASHITA TENKO ;
CHENG KANGGUO ;
THOMAS JASPER HAIGH JR ;
PARK CHANRO ;
ERIC LINIGER ;
LI JUNTAO ;
SANJAY MEHTA .
日本专利 :JP2022140451A ,2022-09-26
[7]
半導体デバイスの空隙スペーサを形成する方法および半導体デバイス[ja] [P]. 
日本专利 :JP2019527933A ,2019-10-03
[8]
半導体デバイスおよび方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2025514413A ,2025-05-02
[9]
半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2017511596A ,2017-04-20
[10]
眼科用デバイスを製造するためのシステムおよび方法[ja] [P]. 
日本专利 :JP2015532897A ,2015-11-16
12345